Početna Trends Samsung počeo masovnu proizvodnju 3D NAND fleša

Samsung počeo masovnu proizvodnju 3D NAND fleša

vnad
Proizvodnja prve 3D vertikalne NAND (V-NAND) fleš memorije predstavlja napredak u ograničenju skaliranja postojeće NAND fleš tehnologije. Postigavši napredak u performansama i prostoru, novi 3D V-NAND koristiće se u širokom spektru potrošačkih elektronskih uređaja i korporativnih primena, uključujući ugrađena NAND skladišta i SSD.

Samsungov novi V-NAND nudi gustinu od 128 gigabita na jednom čipu, koristeći vertikalnu strukturu ćelije koja se zasniva na tehnologiji 3D Charge Trap Flash (CTF) i tehnološkom procesu vertikalnog međusobnog povezivanja kako bi povezao matricu 3D ćelije. Primenom obe tehnologije, Samsungov 3D V-NAND može da ponudi za preko dva puta veće skaliranje planarnog NAND fleša u klasi od 20 nm (tehnologija procesuiranja je negde između 20 i 30 nanometara).

„Nova 3D V-NAND fleš tehnologija je rezultat dugogodišnjih napora naših zaposlenih da prevaziđu granice konvencionalnog načina razmišljanja i slede inovativnije pristupe u prevazilaženju ograničenja u dizajnu tehnologije memorijskih poluprovodnika“, izjavio je Džong-Hjuk Čoi, potpredsednik poslovne jedinice za fleš proizvode i tehnologije u kompaniji Samsung Electronics. „Nakon masovne proizvodnje prve 3D vertikalne NAND (V-NAND) fleš memorije, nastavićemo da predstavljamo 3D V-NAND proizvode sa boljim performansama i većom gustinom, što će doprineti rastu globalne industrije memorije.“

Samsungov novi V-NAND postiže nove nivoe inovacije u kolima, strukturi i procesu proizvodnje putem kojeg je uspešno razvijeno vertikalno slaganje planarnih ćelijskih slojeva za novu 3D strukturu. Kako bi to postigao, Samsung je redizajnirao arhitekturu CTF-a, koji je prvi put razvijen 2006. godine. U Samsungovoj NAND fleš arhitekturi koja je bazirana na CTF-u, električno punjenje je privremeno smešteno u komoru sa neprovodljivim slojem fleša koji se sastoji od silikon nitrida (SiN), umesto da se koristi plutajuća kapija da spreči interferenciju između susednih ćelija.

Sa pretvaranjem tog sloja CTF-a u trodimenzionalni, izuzetno su se povećale pouzdanost i brzina NAND memorije. Novi 3D V-NAND ne pokazuje samo povećanje od najmanje 2x do maksimalnih 10x veće pouzdanosti, već ima i dva puta bolje performanse pisanja u odnosu na plutajuću kapiju konvencionalne NAND fleš memorije u klasi od 10nm.

Takođe, jedan od najvažnijih tehnoloških dostignuća novog Samsungovog V-NAND-a jeste da tehnologija vertikalnog povezivanja može da sadrži čak 24 sloja ćelija vertikalno, koristeći specijalnu tehnologiju urezivanja koja elektronski povezuje slojeve bušenjem rupa od najvišeg sloja do onog najnižeg. Sa novom vertikalnom strukturom, Samsung može da omogući veću gustinu kod proizvoda sa NAND fleš memorijom uvećavajući slojeve 3D ćelija bez potrebe da se nastavi planarno skaliranje koje je postalo veoma teško za ostvarivanje.